MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (187/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 54 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R039M1HXTMA1

kezdő: HUF 3 013,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,8 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3051L-7

kezdő: HUF 3 012,60*
50 db-ként

Infineon IPW65R080CFDA tranzisztor 650 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R080CFDAFKSA1

kezdő: HUF 3 012,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 430 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 8 x 8LR (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 430 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8LR Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SQJQ184E-T1_GE3

kezdő: HUF 3 007,55*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

ROHM Semiconductor

SCT3080KRHRC15

kezdő: HUF 3 007,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 80 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN8R2-80YS,115

kezdő: HUF 3 007,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247AD E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SQW61N65EF-GE3

kezdő: HUF 3 005,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-268HV (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-268HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...

Littelfuse

IXFT60N60X3HV

kezdő: HUF 3 005,00*
db-ként

MOSFET, 74,7 A, 950 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 74,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 950 V Csomag típusa = TO-247 Tüskék száma = 3

Infineon

SP005547003

kezdő: HUF 3 001,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 1000 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD4NK100Z

kezdő: HUF 2 999,80*
5 db-ként

SiC teljesítménymodul, 60 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3

Littelfuse

IXFH60N60X3

kezdő: HUF 2 999,00*
db-ként

Infineon BSC093N15NS5 tranzisztor 150 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC093N15NS5ATMA1

kezdő: HUF 2 995,27*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHF9Z14S-GE3

kezdő: HUF 2 994,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...

Infineon

IPB60R040C7ATMA1

kezdő: HUF 2 994,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFI520GPBF

kezdő: HUF 2 987,80*
10 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)