MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (221/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 26 A, 1200 V, Cső (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Cső Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4062KEC11

kezdő: HUF 2 337,00*
db-ként

MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247-4L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4062KRC15

kezdő: HUF 2 337,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 200 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...

onsemi

FQU5P20TU

kezdő: HUF 2 336,50*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás″ azt jelenti, ...

Infineon

IPP410N30NAKSA1

kezdő: HUF 2 336,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 2 335,50*
10 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mó...

Vishay

SIHH085N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 2 335,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 2,9 A, 30 V, 6-tüskés, WDFN (1 ajánlat)

Ez az eszköz kifejezetten egy csomagként lett kifejlesztve a mobil kézibeszélők és más, hordozható alkalmazások kettős kapcsolási követelményeinek kielégítésére. Két független N-Channel MOSFET-et t...

onsemi

FDMA2002NZ

kezdő: HUF 2 333,70*
20 db-ként

MOSFET, 128 A, 250 V, TO-247AC HEXFET (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IRF250P224

kezdő: HUF 2 333,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 250 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSC600N25NS3GATMA1

kezdő: HUF 2 331,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SI4447ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 2 331,90*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR870ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 2 330,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 4-tüskés, 8 x 8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIHH150N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 330,00*
db-ként