MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (246/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 30 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

PH8230E,115

kezdő: HUF 411 484,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 30 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

PH8230E,115

kezdő: HUF 1 717,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 150 V, 15-tüskés, DirectFET2 nagy doboz HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 15 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IRF7779L2TRPBF

kezdő: HUF 1 432,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 120 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat)

Ez az n-csatornás MV MOSFET a továbbfejlesztett PowerTrench® folyamat használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizál...

onsemi

FDMS4D0N12C

kezdő: HUF 730,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 120 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

onsemi

FDMS4D0N12C

kezdő: HUF 8 024,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF045N10A

kezdő: HUF 957,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF045N10A

kezdő: HUF 2 305,00*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSP149H6327XTSA1

kezdő: HUF 171 081,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSP297H6327XTSA1

kezdő: HUF 107 862,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 660 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chi...

Infineon

BSP149H6906XTSA1

kezdő: HUF 172 426,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat)

Infineon

BSP149H6906XTSA1

kezdő: HUF 297,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66.7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SiSS78LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 175,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat)

A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-...

Vishay

SiSS78LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 348,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR5808DP-T1-RE3

kezdő: HUF 906 553,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIR5808DP-T1-RE3

kezdő: HUF 353,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)