MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (256/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

kezdő: HUF 1 379,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 2....

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 376 928,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET IPAK (TO-251) tokozással rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívü...

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 70,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4306GTA

kezdő: HUF 382,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.1 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP2NK90Z

kezdő: HUF 674,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2A01FTA

kezdő: HUF 950,70*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

FDN337N

kezdő: HUF 526,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.2 A, 30 V, 3-tüskés, UFM SSM3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, SSM3K sorozatú, Toshiba

Toshiba

SSM3K116TU

kezdő: HUF 510,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.2 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBC20PBF

kezdő: HUF 283,00*
db-ként

Infineon IRLML9303 tranzisztor 30 V (3 ajánlat)

Infineon

IRLML9303TRPBF

kezdő: HUF 35,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.3 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD3NK50ZT4

kezdő: HUF 838,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.4 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STN2NF10

kezdő: HUF 64,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NTR4101PT1G

kezdő: HUF 179,30*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2B01FTA

kezdő: HUF 627,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDN302P

kezdő: HUF 166,70*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)