MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (255/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP3099L-7

kezdő: HUF 20,90*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP3099L-7

kezdő: HUF 1 505,80*
100 db-ként

Infineon BSP320S tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

BSP320SH6327XTSA1

kezdő: HUF 77 923,00*
1 000 db-ként

Infineon BSP613P tranzisztor 100 V (3 ajánlat)

Infineon

BSP613PH6327XTSA1

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek. Az Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos...

Infineon

BSP613PH6327XTSA1

kezdő: HUF 4 148,50*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN6140L-7

kezdő: HUF 171,59*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN6140L-7

kezdő: HUF 1 802,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTGS5120PT1G

kezdő: HUF 151 206,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTGS5120PT1G

kezdő: HUF 1 358,10*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (3 ajánlat)

E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tá...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

kezdő: HUF 167,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

kezdő: HUF 1 384,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 2....

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 376 842,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET IPAK (TO-251) tokozással rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívü...

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 70,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4306GTA

kezdő: HUF 381,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.1 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP2NK90Z

kezdő: HUF 673,20*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)