Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
kezdő: HUF 4 079,40*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H099SK3-13
kezdő: HUF 81,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H099SK3-13
kezdő: HUF 2 703,70*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLR3410TRLPBF
kezdő: HUF 164,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLR3410TRLPBF
kezdő: HUF 409 717,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
AUIRLR3410TRL
kezdő: HUF 1 070 299,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
AUIRLR3410TRL
kezdő: HUF 557,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLR3410TRPBF
kezdő: HUF 3 560,60*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF530NPBF
kezdő: HUF 7 121,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRL530NPBF
kezdő: HUF 334,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRL530NPBF
kezdő: HUF 153,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-251AA HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-251AA Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...
Infineon
IRLU3410PBF
kezdő: HUF 199,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS8622
kezdő: HUF 178,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS8622
kezdő: HUF 941,40*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SI4190BDY-T1-GE3
kezdő: HUF 520,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   261   262   263   264   265   266   267   268   269   270   271   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.