Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Raktár 4GUDN
>
Elektronikus alkatrészek, tápellátás és csatlakozók
>
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
MOSFET-ek
(12 007 cikk)
A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés:
Összes raktár
Raktár 3701
Raktár 4GUDN
Raktár 745LG
Raktar 296YZ
Ár ettől:
eddig
HUF
szó
Gyártó:
Diodes
(1124)
Infineon
(4183)
onsemi
(1742)
ROHM Semiconductor
(637)
ST Microelectronics
(939)
Vishay
(2096)
...
Összes kijelzése
Kijelzés
Galéria nézet
Ajánlatok száma
Cikkjellemzők
Összehasonlító ár
Árucikk összehasonlítás
Kép
Cikk
Gyártó/-szám
Nettó ár
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si
(1 ajánlat)
P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Vishay
SISS23DN-T1-GE3
kezdő: HUF 3 455,60*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si
(2 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SIR416DP-T1-GE3
kezdő: HUF 189,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SIR416DP-T1-GE3
kezdő: HUF 2 664,50*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si
(1 ajánlat)
A Infineon HEXFET sorozat 55V N-csatornás teljesítmény MOSFET. Advanced feldolgozási technikákat alkalmaz a lehető legalacsonyabb szilíciumterületenkénti ellenállás elérése érdekében. Ez a MOSFET g...
Infineon
IRFR4105TRPBF
kezdő: HUF 141,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IRFR4105TRPBF
kezdő: HUF 218,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si
(2 ajánlat)
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQB27P06TM
kezdő: HUF 308,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si
(1 ajánlat)
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQB27P06TM
kezdő: HUF 1 873,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si
(2 ajánlat)
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQP27P06
kezdő: HUF 412,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si
(1 ajánlat)
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQP27P06
kezdő: HUF 1 910,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...
onsemi
NTMYS021N06CLTWG
kezdő: HUF 258,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres
(1 ajánlat)
Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...
onsemi
NTMYS021N06CLTWG
kezdő: HUF 430,00*
db-ként
Infineon IPL60R125P7 tranzisztor 600 V
(2 ajánlat)
Infineon
IPL60R125P7AUMA1
kezdő: HUF 543,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8
(1 ajánlat)
A Infineon 600V CoolMOS™ P7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET a 600V CoolMOS™ P6 sorozat utódja. Továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A Co...
Infineon
IPL60R125P7AUMA1
kezdő: HUF 509,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 800 V, 3-tüskés, TO-264AA HiperFET, Q-Class Egyszeres Si
(3 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK27N80Q
kezdő: HUF 4 122,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 800 V, 3-tüskés, TO-264AA HiperFET, Q-Class Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK27N80Q
kezdő: HUF 225 754,00*
25 db-ként
Cikk oldalanként:
10
15
20
50
100
oldal:
vissza
1
..
311
312
313
314
315
316
317
318
319
320
321
..
801
előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások