MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (366/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...

ST Microelectronics

STW40N65M2

kezdő: HUF 1 168,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW40N65M2

kezdő: HUF 1 163,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP019N08NF2S (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = IPP019N08NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszül...

Infineon

IPP019N08NF2SAKMA1

kezdő: HUF 453,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP019N08NF2S (1 ajánlat)

A Infineon IPP019N08NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 80 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. Ez...

Infineon

IPP019N08NF2SAKMA1

kezdő: HUF 631,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFX32N80Q3

kezdő: HUF 8 104,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFX32N80Q3

kezdő: HUF 10 466,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 320 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFS7434TRLPBF

kezdő: HUF 437,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-et az elosztó partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálták. A korábbi szilíciumgenerációhoz képest lágyabb a test-diódaKépes hullámforrasztásra

Infineon

IRFS7434TRLPBF

kezdő: HUF 566,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 320 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

AUIRF2804STRL7P

kezdő: HUF 650 750,60*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői a ...

Infineon

AUIRF2804STRL7P

kezdő: HUF 1 161,00*
db-ként