MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (585/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRF1010NSTRLPBF

kezdő: HUF 249,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF1010NSTRLPBF

kezdő: HUF 1 893,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SiHS90N65E-GE3

kezdő: HUF 145 250,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHS90N65E-GE3

kezdő: HUF 5 420,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQT4N20LTF

kezdő: HUF 90,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQT4N20LTF

kezdő: HUF 1 284,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

BSH103,215

kezdő: HUF 40,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

BSH103,215

kezdő: HUF 1 494,20*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009SPSQ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H009SPSQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

Diodes

DMTH10H009SPSQ-13

kezdő: HUF 203,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009SPSQ (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMTH10H009SPSQ sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség

Diodes

DMTH10H009SPSQ-13

kezdő: HUF 337,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFR3709ZTRPBF

kezdő: HUF 113,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

A D-Pak tokozású Infineon 30 V-os, egycsatornás HEXFET teljesítmény MOSFET.Nagyon alacsony RDS(be) 4,5V VGS mellett Rendkívül alacsony kapuimpendancia Teljesen jellemző lavina feszültség És az aktu...

Infineon

IRFR3709ZTRPBF

kezdő: HUF 172,00*
db-ként