MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (373/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növekményes...

Infineon

IMBG120R060M1HXTMA1

kezdő: HUF 2 408,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat)

A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 60 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium ...

Infineon

IMW120R060M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 464,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás =...

Infineon

IMW120R060M1HXKSA1

kezdő: HUF 3 152,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

AIMW120R060M1HXKSA1

kezdő: HUF 7 491,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat)

Infineon

AIMW120R060M1HXKSA1

kezdő: HUF 7 570,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (2 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.7 O Maxim...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2V

kezdő: HUF 5 407,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (1 ajánlat)

A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2V

kezdő: HUF 5 380,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat

IXYS

IXFN36N100

kezdő: HUF 22 306,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat

IXYS

IXFN36N100

kezdő: HUF 20 883,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRL540NPBF

kezdő: HUF 233,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF540ZPBF

kezdő: HUF 422,40*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű N-csatornás MOSFET, Infineon. Az Infineon átfogó AECQ-101 termékkínálata, amely magában foglalja az egycsatlakozós, N-csatornás járműipari eszközöket, és sokféle feladatra számos energiaig...

Infineon

AUIRF540Z

kezdő: HUF 28 333,20*
50 db-ként