MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (380/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 2 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET család. Az Infineon OptiMOS™2 N-csatornás termékcsaládja az iparág legalacsonyabb, állapotban lévő ellenállását kínálja a feszültség csoporton belül. A MOSFET termék...

Infineon

IPD25CN10NGATMA1

kezdő: HUF 2 284,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...

onsemi

FQPF70N10

kezdő: HUF 385,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQPF70N10

kezdő: HUF 2 434,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP30NF10

kezdő: HUF 217,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP30NF10

kezdő: HUF 712,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™-T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™-T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPD35N10S3L26ATMA1

kezdő: HUF 351,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...

Infineon

AUIRFR540Z

kezdő: HUF 658,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Ez a Infineon HEXFET® Power MOSFET a legújabb 35A ID feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további j...

Infineon

IRFR540ZTRPBF

kezdő: HUF 195,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFR540ZTRPBF

kezdő: HUF 343,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

AUIRFR540ZTRL

kezdő: HUF 396,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma...

Infineon

AUIRFR540ZTRL

kezdő: HUF 657,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB30NF10T4

kezdő: HUF 219,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB30NF10T4

kezdő: HUF 909,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...

Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1

kezdő: HUF 441,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 345 A, 60 V, 8-tüskés, DirectFET L8 HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 345 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

AUIRF7749L2TR

kezdő: HUF 1 768,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)