Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN36N100
kezdő: HUF 22 274,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN36N100
kezdő: HUF 20 830,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.7 O Maxim...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
kezdő: HUF 5 417,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
kezdő: HUF 5 375,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 6 616,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 7 403,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 60 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium ...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 830,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 820,00*
db-ként
Infineon BSC320N20NS3 G tranzisztor 200 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC320N20NS3GATMA1
kezdő: HUF 2 458,96*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 200 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
BSC320N20NS3GATMA1
kezdő: HUF 590,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SI4497DY-T1-GE3
kezdő: HUF 293,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SI4497DY-T1-GE3
kezdő: HUF 1 792,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXTP36N30P
kezdő: HUF 951,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXTP36N30P
kezdő: HUF 54 618,50*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
kezdő: HUF 468 866,01*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   381   382   383   384   385   386   387   388   389   390   391   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.