MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (388/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ K5 sorozat, SuperMESH5™ STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP13N80K5

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB027N10N3GATMA1

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 600 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipen...

Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

Infineon SPP80P06P H tranzisztor 40 V (2 ajánlat)

Infineon

SPP80P06PHXKSA1

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 17,5 A, 700 V, PG-TO 220 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 17,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-TO 220 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IPP65R190CFDXKSA2

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 27,7 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPak SO-8DC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPak SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SIDR510EP-T1-RE3

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 270 A, 60 V, D2Pak (TO-263AB) HEXFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 270 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = D2Pak (TO-263AB) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

IRFS3006TRLPBF

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

Vishay IRFB17N50LPBF IGBT (3 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

IRFB17N50LPBF

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB200N15N3 G

kezdő: HUF 730,80*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SIHA21N80AEF-GE3

kezdő: HUF 730,00*
db-ként

MOSFET, 15 A, 600 V, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIHB15N60E-GE3

kezdő: HUF 730,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási e...

onsemi

FDPF20N50FT

kezdő: HUF 729,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STF8NK100Z

kezdő: HUF 729,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 83 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86322

kezdő: HUF 728,40*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA125N60EF (2 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...

Vishay

SIHA125N60EF-GE3

kezdő: HUF 728,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)