Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Raktár 4GUDN > Elektronikus alkatrészek, tápellátás és csatlakozók > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

MOSFET-ek (11 996 cikk)

Kijelzés

Galéria nézet

Ajánlatok száma

Összehasonlító ár

Árucikk összehasonlítás

Kép

Gyártó/-szám

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMN10 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 100V kiegészítő pár javítás mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen a szigorú követelményeknek autóipari alkalmazás. A PPAP által támogatott AEC-Q101 minősítéssel rendelkezik, é...

Diodes

DMN10H170SFGQ-7

kezdő: HUF 178,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18GTA

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18GTA

kezdő: HUF 482 916,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBF30PBF

kezdő: HUF 329,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBC30APBF

kezdő: HUF 219,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBC30PBF

kezdő: HUF 180,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBC30APBF

kezdő: HUF 1 593,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHFBC30S-GE3

kezdő: HUF 14 839,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHFBC30AS-GE3

kezdő: HUF 273,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHFBC30AS-GE3

kezdő: HUF 4 269,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN6A11ZTA

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Vishay

Si2319DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 3,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

Si2319DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 4 112,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...

Infineon

IRLML0040TRPBF

kezdő: HUF 121 939,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 3,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Infineon

IRF7606TRPBF

kezdő: HUF 88,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 .. 800 előre

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.

Ügyfélszolgálat

Sajtóközlemény

Fenntarthatóság

Adatvédelmi beállítások