MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (434/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 440 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 440 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS4400DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 188,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 445 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 445 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szá...

Vishay

SQJQ130EL-T1_GE3

kezdő: HUF 454,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 445 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L (1 ajánlat)

Vishay

SQJQ130EL-T1_GE3

kezdő: HUF 873,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STD45N10F7

kezdő: HUF 1 205,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD45N10F7

kezdő: HUF 1 804,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPA086N10N3GXKSA1

kezdő: HUF 275,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPA086N10N3GXKSA1

kezdő: HUF 1 619,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STF100N10F7

kezdő: HUF 427,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STF100N10F7

kezdő: HUF 2 118,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...

ST Microelectronics

SCT30N120

kezdő: HUF 6 412,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCT30N120

kezdő: HUF 6 506,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86255

HUF 3 415,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86255

kezdő: HUF 4 256,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 200 V, 3-tüskés, TO-263S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = TO-263S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

ROHM Semiconductor

RCJ451N20TL

kezdő: HUF 394 988,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 200 V, 3-tüskés, TO-263S (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RCJ451N20TL

kezdő: HUF 398,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 431 432 433 434 435 436 437 438 439 440 441 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)