MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (438/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...

ST Microelectronics

SCT30N120

kezdő: HUF 6 411,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCT30N120

kezdő: HUF 6 515,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86255

kezdő: HUF 670,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86255

kezdő: HUF 3 916,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 200 V, 3-tüskés, TO-263S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = TO-263S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

ROHM Semiconductor

RCJ451N20TL

kezdő: HUF 578 822,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 200 V, 3-tüskés, TO-263S (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RCJ451N20TL

kezdő: HUF 529,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUM45N25-58-E3

kezdő: HUF 615 062,20*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUM45N25-58-E3

kezdő: HUF 576,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (2 ajánlat)

A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET kifejezetten a fenntartáshoz készült Energia-visszanyerés és -átkapcsolás alkalmazások a plazma kijelzőpanelekben. Ez a MOSFET a legújabb feldolgozási technik...

Infineon

IRFS4229TRLPBF

kezdő: HUF 731,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFS4229TRLPBF

kezdő: HUF 955,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor DPAK-tokban kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Használható autóipari alkalmazásokhoz.Jellemzők Alacsony bekapcso...

onsemi

NVD5C478NLT4G

kezdő: HUF 588 506,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

onsemi

NVD5C478NLT4G

kezdő: HUF 1 912,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 500 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFR64N50Q3

kezdő: HUF 287 938,80*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 500 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

IXYS

IXFR64N50Q3

kezdő: HUF 8 157,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW45NM50

kezdő: HUF 2 503,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 431 432 433 434 435 436 437 438 439 440 441 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)