Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2005K-7
kezdő: HUF 1 732,10*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMP2900 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 600 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMP2900 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Diodes
DMP2900UW-7
kezdő: HUF 58 727,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMP2900 Si (1 ajánlat) 
A DiodesZetex 20 V-os P-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a nagy hatékony...
Diodes
DMP2900UW-7
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY300NZ
kezdő: HUF 79,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY302NZ
kezdő: HUF 26,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY300NZ
kezdő: HUF 584,30*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY302NZ
kezdő: HUF 2 983,60*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, X1-DFN1212 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 600 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X1-DFN1212 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyel...
Diodes
DMP21D6UFD-7
kezdő: HUF 17,40*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, X1-DFN1212 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMP21D6UFD-7
kezdő: HUF 2 761,10*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 200 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFD210PBF
kezdő: HUF 111,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 200 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFD210PBF
kezdő: HUF 217,00*
db-ként
Infineon
IRF5801TRPBF
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 200 V, 6-tüskés, TSOP-6 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRF5801TRPBF
kezdő: HUF 155 527,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI1302DL-T1-E3
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI1302DL-T1-E3
kezdő: HUF 424,00*
10 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.