MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (521/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP13NM60N

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

Infineon IRFB3306 tranzisztor 300 V (3 ajánlat)

Infineon

IRFB3306PBF

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 298 A, 25 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 298 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...

Infineon

IQE006NE2LM5ATMA1

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 298 A, 25 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Infineon

IQE006NE2LM5CGATMA1

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SI4497DY-T1-GE3

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

Infineon IRFR825 tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFR825TRPBF

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP9NK90Z

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR9020TRPBF

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 120 A, 60 V, PG-TDSON (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IAUC120N06S5N017ATMA1

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 17 A, 20 V, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

AUIRFZ24NSTRL

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 19.8 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19.8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SI4204DY-T1-GE3

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIS9446DN-T1-GE3

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 40 A, 60 V, 8-tüskés, LFPAK56D (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK56D Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipe...

Nexperia

BUK9K13-60RAX

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 59 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

Diodes

DMTH10H015SK3-13

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 24 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

A Infineon OptiMOS N-csatornás teljesítmény MOSFET-eket a hatékonyság, teljesítménysűrűség és költséghatékonyság növelésére fejlesztették ki. Az OptiMOS termékek a nagy teljesítményű alkalmazásokho...

Infineon

IRFR24N15DTRPBF

kezdő: HUF 293,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 531 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)