Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP9NK50Z
kezdő: HUF 7 722,00*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP9NK50ZFP
kezdő: HUF 7 818,50*
50 db-ként
Infineon
IPS65R1K0CEAKMA2
kezdő: HUF 5 866,3005*
75 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A Cool...
Infineon
IPS65R1K0CEAKMA2
kezdő: HUF 99,00*
db-ként
Infineon
IPA65R1K0CEXKSA1
kezdő: HUF 184,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Infineon
IPA65R1K0CEXKSA1
kezdő: HUF 184,00*
db-ként
Infineon
IPD65R1K0CEAUMA1
kezdő: HUF 197 935,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 650 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ CE Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Infineon
IPD65R1K0CEAUMA1
kezdő: HUF 81,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF7495TRPBF
kezdő: HUF 209,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF7495TRPBF
kezdő: HUF 3 404,20*
10 db-ként
Infineon
IRF7201TRPBF
kezdő: HUF 183,00*
db-ként
Infineon
SPU07N60C3
kezdő: HUF 21 463,20*
80 db-ként
Infineon
SPA07N60C3XKSA1
kezdő: HUF 528,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = IMBF1 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
IMBF170R650M1XTMA1
kezdő: HUF 770 424,00*
1 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1 (1 ajánlat) 
A TO-263-7 magas levezetési tokozású Infineon CoolSiC™ 650 V, 1700 m-es SIC MOSFET-et úgy optimalizálták, hogy repülésre alkalmas topológiákat lehessen használni a DC-kapcsolati feszültségekhez csa...
Infineon
IMBF170R650M1XTMA1
kezdő: HUF 772,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.