| | | | | | | Kép | | | | Megrendelés | | | |
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 319 363,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 319 323,00* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 318 958,00* 2 500 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 316 096,60* 800 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 316 091,00* 2 500 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 315 554,01* 3 000 db-ként |
| |
|
Infineon IPB80N06S2L09ATMA2 |
kezdő: HUF 315 334,00* 1 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 314 479,00* 2 000 db-ként |
| |
|
Infineon IPD50N04S408ATMA1 |
kezdő: HUF 314 335,00* 2 500 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 313 310,01* 1 500 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 64 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chi... |
|
kezdő: HUF 310 749,00* 50 db-ként |
| |
|
Infineon IPN70R450P7SATMA1 |
kezdő: HUF 310 140,00* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 310 079,00* 1 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 310 041,00* 2 500 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 309 964,00* 4 000 db-ként |
| |
|