MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (582/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IRFS4410 tranzisztor 120 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFS4410TRLPBF

kezdő: HUF 471,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFS4410TRLPBF

kezdő: HUF 474,00*
db-ként

Infineon IPB110N20N3LF tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB110N20N3LFATMA1

kezdő: HUF 1 238,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...

Infineon

IPB110N20N3LFATMA1

kezdő: HUF 1 245,00*
db-ként

Infineon IPB107N20N3 G tranzisztor 25 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB107N20N3GATMA1

kezdő: HUF 1 418,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB107N20N3 G

kezdő: HUF 1 889,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPP110N20N3 G

kezdő: HUF 2 335,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH88N30P

kezdő: HUF 3 867,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH88N30P

kezdő: HUF 115 570,0002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

onsemi

NVD5C454NLT4G

kezdő: HUF 598 449,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor DPAK-tokban kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Használható autóipari alkalmazásokhoz.Jellemzők Alacsony bekapcso...

onsemi

NVD5C454NLT4G

kezdő: HUF 2 399,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozású, 88 A-es elvezető árammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve

Vishay

SQJ146ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 97,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

Vishay

SQJ146ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 98,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 89 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTHL022N120M3S

kezdő: HUF 123 868,1001*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

onsemi

NTHL022N120M3S

kezdő: HUF 6 819,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 581 582 583 584 585 586 587 588 589 590 591 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)