Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
Toshiba
TK40E10N1,S1X(S
kezdő: HUF 2 370,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
IPD068N10N3GATMA1
kezdő: HUF 3 851,70*
10 db-ként
Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1
kezdő: HUF 306,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenk...
Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1
kezdő: HUF 516,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...
Wolfspeed
C2M0025120D
kezdő: HUF 28 074,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...
Wolfspeed
C2M0025120D
kezdő: HUF 20 585,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH70N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH70N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.21 O M...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
kezdő: HUF 8 428,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH70N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
kezdő: HUF 22 553,00*
db-ként
Infineon
IPD90N03S4L03ATMA1
kezdő: HUF 700 048,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma ...
Infineon
IPD90N03S4L03ATMA1
kezdő: HUF 422,00*
db-ként
Infineon
IPD90P03P4L04ATMA1
kezdő: HUF 1 291,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...
Infineon
IPD90P03P4L04ATMA1
kezdő: HUF 796 393,50*
2 500 db-ként
Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1
kezdő: HUF 1 651,675*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™ T2 teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon új OptiCath™ -T2 energiatakarékos MOSFET tranzisztorainak széles választékát kínálja CO2-csökkentéssel és elektromos meghajtókkal. Az új Opt...
Infineon
IPD90N03S4L-02
kezdő: HUF 1 350,90*
5 db-ként
Infineon
IPD90P03P404ATMA2
kezdő: HUF 1 567,28*
5 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.