Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H099SK3-13
kezdő: HUF 2 720,20*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQPF3N80C
kezdő: HUF 2 720,60*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF540NSTRRPBF
kezdő: HUF 2 720,90*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6,6 A, 250 V, 3-tüskés, TO-3PN QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQA9P25
kezdő: HUF 2 724,80*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...
Vishay
SQJ412EP-T1_GE3
kezdő: HUF 2 726,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Infineon
IPB65R041CFD7ATMA1
kezdő: HUF 2 727,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQD40031EL_GE3
kezdő: HUF 2 727,50*
10 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) 
Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető kivezetésfelületű vál...
onsemi
NVMFD5C478NT1G
kezdő: HUF 2 729,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...
ST Microelectronics
STB13N60M2
kezdő: HUF 2 729,40*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 910 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-88 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 910 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SC-88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő for...
onsemi
NTJD4401NT1G
kezdő: HUF 2 730,00*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI7129DN-T1-GE3
kezdő: HUF 2 731,60*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 71 A, 60 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTMFS5C670NLT1G
kezdő: HUF 2 732,00*
10 db-ként
MOSFET, 1200 V, PG-TO247-4 (2 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = PG-TO247-4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
IMZ120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 734,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...
Wolfspeed
C3M0120090D
kezdő: HUF 2 736,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 2 738,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.