Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRLI640GPBF
kezdő: HUF 2 971,50*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMZA65R057M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 972,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLR2905ZTRPBF
kezdő: HUF 2 973,10*
20 db-ként
MOSFET, 304 A, 700 V, PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-TO247-3 Rögzítés típusa = Furatszerelt
Infineon
IPW65R029CFD7XKSA1
kezdő: HUF 2 974,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTD3055-094T4G
kezdő: HUF 2 979,80*
20 db-ként
Infineon
SPW35N60C3
kezdő: HUF 2 980,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 56 A, 56 A, 3-tüskés, TO-247 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 56 A Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes E...
ST Microelectronics
STWA60N043DM9
kezdő: HUF 2 981,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2280KEGC11
kezdő: HUF 2 983,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY302NZ
kezdő: HUF 2 984,60*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI520GPBF
kezdő: HUF 2 987,80*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...
Infineon
IPB60R040C7ATMA1
kezdő: HUF 2 994,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF9Z14S-GE3
kezdő: HUF 2 994,70*
10 db-ként
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1
kezdő: HUF 2 995,27*
5 db-ként
SiC teljesítménymodul, 60 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
Littelfuse
IXFH60N60X3
kezdő: HUF 2 999,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 1000 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD4NK100Z
kezdő: HUF 2 999,80*
5 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.