Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Raktár 4GUDN
>
Elektronikus alkatrészek, tápellátás és csatlakozók
>
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
MOSFET-ek
(11 994 cikk)
A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés:
Összes raktár
Raktár 3701
Raktár 4GUDN
Raktár 745LG
Raktar 296YZ
Ár ettől:
eddig
HUF
szó
Gyártó:
Diodes
(1123)
Infineon
(4176)
onsemi
(1740)
ROHM Semiconductor
(637)
ST Microelectronics
(939)
Vishay
(2094)
...
Összes kijelzése
Kijelzés
Galéria nézet
Ajánlatok száma
Cikkjellemzők
Összehasonlító ár
Árucikk összehasonlítás
Kép
Cikk
Gyártó/-szám
Nettó ár
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRLI640GPBF
kezdő: HUF 2 971,50*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMZA65R057M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 972,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLR2905ZTRPBF
kezdő: HUF 2 973,10*
20 db-ként
MOSFET, 304 A, 700 V, PG-TO247-3
(1 ajánlat)
Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-TO247-3 Rögzítés típusa = Furatszerelt
Infineon
IPW65R029CFD7XKSA1
kezdő: HUF 2 974,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTD3055-094T4G
kezdő: HUF 2 979,80*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C3 Egyszeres Si
(1 ajánlat)
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
Infineon
SPW35N60C3
kezdő: HUF 2 980,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 56 A, 56 A, 3-tüskés, TO-247 Szilikon
(2 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 56 A Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes E...
ST Microelectronics
STWA60N043DM9
kezdő: HUF 2 981,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC
(2 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2280KEGC11
kezdő: HUF 2 983,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si
(1 ajánlat)
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY302NZ
kezdő: HUF 2 984,60*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI520GPBF
kezdő: HUF 2 987,80*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon
(1 ajánlat)
A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...
Infineon
IPB60R040C7ATMA1
kezdő: HUF 2 994,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si
(1 ajánlat)
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF9Z14S-GE3
kezdő: HUF 2 994,70*
10 db-ként
Infineon BSC093N15NS5 tranzisztor 150 V
(1 ajánlat)
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1
kezdő: HUF 2 995,27*
5 db-ként
SiC teljesítménymodul, 60 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
Littelfuse
IXFH60N60X3
kezdő: HUF 2 999,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 1000 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD4NK100Z
kezdő: HUF 2 999,80*
5 db-ként
Cikk oldalanként:
10
15
20
50
100
oldal:
vissza
1
..
611
612
613
614
615
616
617
618
619
620
621
..
800
előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások