Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon IRLR7843 tranzisztor 120 V (3 ajánlat)
Infineon
IRLR7843TRPBF
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
IPZ40N04S55R4ATMA1
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A COOL MOS™ Infineon-kialakítása egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A le...
Infineon
IPA70R900P7SXKSA1
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = IPAK (TO-251) Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Infineon
IPS80R900P7AKMA1
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SQJ170ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ CE Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Infineon
IPAW70R950CEXKSA1
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8,7 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
IRFR120ZTRPBF
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 20 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 kettős OptiMOS™ -T2 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 kettős Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maxim...
Infineon
IPG20N04S412AATMA1
kezdő: HUF 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 181,8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET Schottky diódával.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET SKYFET® monolitikus Schottky diódával Az optimalizált RDS x QG és RDS x Qgd FOM magasabb hatékonyság...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 240 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVP4424A
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (2 ajánlat) 
A Vishay SIHU6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Ez a Infineon HEXFET® Power MOSFET a legújabb 35A ID feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további j...
Infineon
IRFR540ZTRPBF
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 39.3 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ462ADP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. Rugalmas elvezetései ellenállóképességet biztosítanak a mechanikai stres...
Vishay
SiJ462ADP-T1-GE3
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ -T2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
Infineon
IPD50N06S4L12ATMA2
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres (3 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...
Infineon
BSC123N08NS3GATMA1
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   621   622   623   624   625   626   627   628   629   630   631   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.