Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 50 A, 25 V, 8-tüskés, TISON-8 OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
BSG0811NDATMA1
kezdő: HUF 554,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, -20 V, 8-tüskés, DFN1010B-6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 500 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = -20 V Csomag típusa = DFN1010B-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...
Nexperia
PMDXB950UPELZ
kezdő: HUF 180,52*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, -20 V, 8-tüskés, DFN1010B-6 (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET-ek – A tökéletes megoldás tervéhez, ha az N-csatornák egyszerűen nem megfelelők. A MOSFET-katalógusunkban számos, a Nexperia piacvezető Trench technológiáján alapuló P-csatornás ...
Nexperia
PMDXB950UPELZ
kezdő: HUF 2 384,90*
25 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 500 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SI1034CX-T1-GE3
kezdő: HUF 37,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 TrenchFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 500 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SI1034CX-T1-GE3
kezdő: HUF 4 348,60*
50 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
FDG6303N
kezdő: HUF 51,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
FDG6303N
kezdő: HUF 163,10*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SQRS140ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 2 105 792,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SQRS140ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 864,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiR876BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 859,895*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiR876BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 256,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
NDC7002N
kezdő: HUF 45,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
NDC7002N
kezdő: HUF 483,10*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (2 ajánlat) 
Közös - Engedje le a két N-csatornás 60 V-os (S1-S2) MOSFET MOSFET egységet.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis forrásról forrásig tartó ellenállás Integrált, közös leeresztésű...
Vishay
SiSF20DN-T1-GE3
kezdő: HUF 231,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SCD Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiSF20DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 274,50*
5 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.