MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (693/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, -20 V, 8-tüskés, DFN1010B-6 (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET-ek – A tökéletes megoldás tervéhez, ha az N-csatornák egyszerűen nem megfelelők. A MOSFET-katalógusunkban számos, a Nexperia piacvezető Trench technológiáján alapuló P-csatornás ...

Nexperia

PMDXB950UPELZ

kezdő: HUF 2 384,90*
25 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 500 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SI1034CX-T1-GE3

kezdő: HUF 37,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI1034CX-T1-GE3

kezdő: HUF 4 351,60*
50 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat)

A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...

onsemi

FDG6303N

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

onsemi

FDG6303N

kezdő: HUF 163,10*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SQRS140ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 2 104 448,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SQRS140ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 862,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiR876BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 853,895*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SiR876BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 258,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (2 ajánlat)

onsemi

NDC7002N

kezdő: HUF 45,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (1 ajánlat)

onsemi

NDC7002N

kezdő: HUF 486,10*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (2 ajánlat)

Közös - Engedje le a két N-csatornás 60 V-os (S1-S2) MOSFET MOSFET egységet.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis forrásról forrásig tartó ellenállás Integrált, közös leeresztésű...

Vishay

SiSF20DN-T1-GE3

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SCD Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SiSF20DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 275,50*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 54 A, 60 V, 6-tüskés, PowerPAK SO-8L kettős SQJ264EP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = SQJ264EP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SQJ264EP-T1_GE3

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 54 A, 60 V, 6-tüskés, PowerPAK SO-8L kettős SQJ264EP (1 ajánlat)

A Vishay Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C-os MOSFET-EK szinkron Buck alkalmazásokhoz optimalizáltak. AEC-Q101 minősítéssel rendelkezik.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen IV teljesítm...

Vishay

SQJ264EP-T1_GE3

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)