MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (697/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 19.8 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19.8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SI4204DY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 623,10*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 7,5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4214DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 278 717,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 7.5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4214DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13,4 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4403CDY-T1-GE3

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13,4 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4403CDY-T1-GE3

kezdő: HUF 265 529,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19,7 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 19,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SI4425DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 107,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19,7 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI4425DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 2 226,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18.3 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

A Vishay Si4425FDY-T1-GEO3 egy P-csatornás 30V (D-S) MOSFET.TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET 100%-ig Rg-tesztelt

Vishay

Si4425FDY-T1-GE3

kezdő: HUF 88,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18.3 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 18.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...

Vishay

Si4425FDY-T1-GE3

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4431CDY-T1-GE3

kezdő: HUF 113,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4431CDY-T1-GE3

kezdő: HUF 2 871,10*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4435DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 224 689,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8.1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4435DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 109,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SI4447ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 77,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI4447ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 2 331,90*
20 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)