MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (83/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 100 mA, 250 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 BSS139I (1 ajánlat)

A Infineon BSS139I a kis jel, a kis teljesítményű N- és P-csatornás MOSFET-EK széles körű VGS(TH) szinteket és RDS(on) értékeket, valamint több feszültségosztályt biztosítanak. Ez a MOSFET bővítési...

Infineon

BSS139IXTSA1

kezdő: HUF 84 514,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTR5198NLT1G

kezdő: HUF 82 634,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 1700 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C2M1000170D

kezdő: HUF 82 605,60*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...

Vishay

SIHF085N60EF-GE3

kezdő: HUF 81 462,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...

ST Microelectronics

STW56N60DM2

kezdő: HUF 81 344,5002*
30 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 70 V, 5-tüskés, DR TetraFET Közös forrás Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, Semelab

Semelab

D1029UK

kezdő: HUF 80 403,00*
db-ként

Infineon ISS17EP06LM tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

ISS17EP06LMXTSA1

kezdő: HUF 80 336,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,5 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG6402LVT-7

kezdő: HUF 80 173,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...

Infineon

IRLML9303TRPBF

kezdő: HUF 79 980,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSS127

kezdő: HUF 79 977,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 8 A, 12 V, QFN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = QFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Renesas Electronics

ISL6144IRZA

kezdő: HUF 79 373,6004*
60 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 760 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLML5103TRPBF

kezdő: HUF 79 341,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,37 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NTS4101PT1G

kezdő: HUF 78 712,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN180N15P

kezdő: HUF 78 495,60*
10 db-ként

MOSFET, 800 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN Műanyag (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 800 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásellen...

Diodes

DMN3401LDWQ-7

kezdő: HUF 78 161,01*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)