| | | | |
Kép | | | | Megrendelés |
|
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 793 132,208* 1 800 db-ként |
|
|
|
Infineon BSZ011NE2LS5IATMA1 |
kezdő: HUF 1 789 457,00* 5 000 db-ként |
|
|
MOSFET, 300 A, 1200 V, Ömlesztett (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Ömlesztett Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés |
ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 |
kezdő: HUF 1 784 912,20* 4 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 772 478,216* 1 800 db-ként |
|
|
|
Infineon IPB048N15N5LFATMA1 |
kezdő: HUF 1 769 268,00* 1 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 747 794,00* 4 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 740 359,00* 2 000 db-ként |
|
|
|
Infineon IPL60R095CFD7AUMA1 |
kezdő: HUF 1 738 065,00* 3 000 db-ként |
|
|
|
Infineon IQE008N03LM5CGATMA1 |
kezdő: HUF 1 722 506,00* 5 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 715 575,632* 4 800 db-ként |
|
|
SiC teljesítménymodul, 204 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális teljesítménydisszipáció = 1360 W Maximális működés... |
ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 |
kezdő: HUF 1 713 893,80008* 12 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 712 793,10* 10 db-ként |
|
|
|
ST Microelectronics STL18N65M5 |
kezdő: HUF 1 708 853,01* 3 000 db-ként |
|
|
MOSFET, 358 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 358 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés |
ROHM Semiconductor BSM400D12P3G002 |
kezdő: HUF 1 708 675,50* 4 db-ként |
|
|
MOSFET, 107 A, 60 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat) A Taiwan Semiconductor egycsatornás MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás... |
Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR |
kezdő: HUF 1 698 014,00* 2 500 db-ként |
|
|