diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 799/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 609,00*
db-ként

100%

MOSFET + Dióda, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK055N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 1 562,00*
db-ként

100%

Mitsubishi Electric CM200DY-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 200, 1200 V, Modul 2 Kettős félhíd (1 ajánlat)

A kettős IGBT modul Mitsubishi Electric 1200V-ja lapos alappal és modulonként hat meghajtóval rendelkezik. 200 a folyamatos kollektor áramot tartalmaz, és alkalmas kemény kapcsolásra és lágy kapcso...

Mitsubishi

CM200DY-24T 300G

kezdő: HUF 59 286,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 032 158,00*
1 000 db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STW70N65DM6

kezdő: HUF 3 463,00*
db-ként

100%

Infineon IPD80R4K5P7 tranzisztor 500 V (2 ajánlat)

Infineon

IPD80R4K5P7ATMA1

kezdő: HUF 91,00*
db-ként

100%

Mitsubishi Electric CM300DX-13T#300G IGBT-modul, 300 A, 600 V, 122 x 62 mm 2 Kettős (1 ajánlat)

Maximális folyamatos kollektoráram = 300 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,15 kW Csomag típusa = 122...

Mitsubishi

CM300DX-13T300G

kezdő: HUF 48 784,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STP33N60DM6

kezdő: HUF 902,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STWA70N65DM6

kezdő: HUF 3 726,00*
db-ként

100%

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 808 133,50*
2 500 db-ként

100%

Mitsubishi Electric CM300DY-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 300, 1200 V, Modul 2 Kettős félhíd (1 ajánlat)

A kettős IGBT modul Mitsubishi Electric 1200V-ja lapos alappal és modulonként hat meghajtóval rendelkezik. 300 a folyamatos kollektor áramerősséggel rendelkezik, és kemény kapcsolásra és lágy kapcs...

Mitsubishi

CM300DY-24T 300G

kezdő: HUF 72 886,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 5 800,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 100 A, 1200 V, AG-EASY2B (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = AG-EASY2B Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés

Infineon

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

kezdő: HUF 48 401,00*
db-ként

100%

MOSFET HEXFET (1 ajánlat)

Sorozat = HEXFET

Infineon

IRF7351TRPBF

kezdő: HUF 1 284,40*
5 db-ként

100%

Mitsubishi Electric CM450DX -24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 450, 1200 V, Modul 2 Kettős félhíd (1 ajánlat)

Maximális folyamatos kollektoráram = 450 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 2 Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = ...

Mitsubishi

CM450DX -24T 300G

kezdő: HUF 85 760,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1798 1799 1800 1801 .. 2543 előre

diszkrét félvezetők (38 141 ajánlat 4 386 869 cikkből)