Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 > Keresés "diszkrét félvezetők"

  diszkrét félvezetők  (38 141 ajánlat 4 386 205 cikkből)

Hasonló keresőfogalmak optimalizált találati listával:
A következő szűrők segítenek a „diszkrét félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 10 613,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
Wolfspeed
CAB011M12FM3
kezdő: HUF 69 300,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 336,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM450DY-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 450, 1200 V, Modul 2 Kettős félhíd (1 ajánlat) 
A kettős IGBT modul Mitsubishi Electric 1200V-ja lapos alappal és modulonként hat meghajtóval rendelkezik. 450A folyamatos kollektor áramot tartalmaz, és alkalmas kemény kapcsolásra és lágy kapcsol...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
kezdő: HUF 96 699,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STW48N60M6-4
kezdő: HUF 1 743,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 2 elem/chip, 100 A, 1200 V, AG-EASY1B CoolSiC (1 ajánlat) 
A Infineon EasyDUAL 1B 1200 V, 11-os féláthidaló modul CoolSiC MOSFET-tel, NTC és PressFIT kontakt technológiával.Nagy áramsűrűség Kategóriájában a legjobb kapcsolási és vezetési veszteség Alacsony...
Infineon
FF11MR12W1M1B11BOMA1
kezdő: HUF 43 430,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 3 711,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM600DY-13T#300G IGBT-modul, 600 A, 600 V, 94 x 48 mm 2 Kettős (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 600 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 4.17 kW Csomag típusa = 94 ...
Mitsubishi
CM600DY-13T300G
kezdő: HUF 91 598,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 4 189,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 4 elem/chip, 25 A, 1200 V, AG-EASY2B F4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = F4 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális nyelő forrásellenállás = 0.045 OHM Max...
Infineon
F445MR12W1M1B76BPSA1
kezdő: HUF 37 251,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STF33N60DM6
kezdő: HUF 1 153,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric PM50CG1B120#300G IGBT-modul N-csatornás, 50, 1200 V, Modul 6 3 fázisú (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Tranzisztorok száma = 6 Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = Panelre szerelhető Csatorna típusa = N Tran...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
kezdő: HUF 96 192,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
kezdő: HUF 3 569,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 400 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = AG-HYBRIDD-2 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés
Infineon
FS03MR12A6MA1BBPSA1
kezdő: HUF 692 224,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STF36N60M6
kezdő: HUF 1 272,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   1791   1792   1793   1794   1795   1796   1797   1798   1799   1800   1801   ..   2543   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.