Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "diszkrét félvezetők"

  diszkrét félvezetők  (38 219 ajánlat 4 385 701 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „diszkrét félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 310 A, 25 V, 24-tüskés, TSDSO (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 310 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = TSDSO Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 24 Csatorna mód = Növe...
Infineon
SP005419125
kezdő: HUF 2 325 443,04*
6 000 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP019N08NF2S (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = IPP019N08NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszül...
Infineon
IPP019N08NF2SAKMA1
kezdő: HUF 452,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN095N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTH4LN095N65S3H
kezdő: HUF 1 264,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
kezdő: HUF 159,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 VN10K Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 310 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = VN10K Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...
Microchip Technology
VN10KN3-G
kezdő: HUF 147,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 320 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFS7434TRLPBF
kezdő: HUF 332,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARC15
kezdő: HUF 1 567,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 500 V, 3-tüskés, Super-247 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = Super-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SiHFPS37N50A-GE3
kezdő: HUF 1 391,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) 
A On Semiconductor dupla hűtésű, N-csatornás MOSFET egy 5x6 mm-es lapos, kompakt és hatékony kialakításhoz, valamint nagy hőteljesítményhez tervezett tokozással. Ebben a nedvesített hasszélre vonat...
onsemi
NVMFSC0D9N04C
kezdő: HUF 825,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
kezdő: HUF 4 856,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 5-tüskés, DFN8x8 TK099V65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = TK099V65Z Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
kezdő: HUF 865,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 550 V, 3-tüskés, Super-247 D Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 550 V Sorozat = D Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SiHS36N50D-GE3
kezdő: HUF 1 552,00*
db-ként
 
 db
100%
Infineon
IPT012N06NATMA1
kezdő: HUF 5 347,44*
5 db-ként
 
 csomagok
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 STO67N60DM6 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony h...
ST Microelectronics
STO67N60DM6
kezdő: HUF 1 841,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 70 V, 4-tüskés, DM TetraFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, Semelab
Semelab
D1017UK
kezdő: HUF 638 027,20*
25 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   1961   1962   1963   1964   1965   1966   1967   1968   1969   1970   1971   ..   2548   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.