diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 970/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 342 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 342 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NTBGS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forráselle...

onsemi

NTBGS001N06C

kezdő: HUF 2 594 182,20*
800 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 750 V, 7-tüskés, TO-263-7L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = N...

ROHM Semiconductor

SCT4045DW7TL

kezdő: HUF 2 348,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 550 V, 3-tüskés, Super-247 D Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 550 V Sorozat = D Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SiHS36N50D-GE3

kezdő: HUF 1 561,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 1000 V, 4-tüskés, TO-247-4 C3M SiC (1 ajánlat)

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M sorozat, Cree. Új C3M Szilícium-karbid (SIC) MOSFET technológia Minimum 1000 V teljesítmény Egyforráspontú Meghibásodás Feszültség a teljes üzemi hőmérséklet-tarto...

Wolfspeed

C3M0065100K

kezdő: HUF 5 820,00*
db-ként

100%

Infineon IPB35N10S3L-26 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1

kezdő: HUF 307,00*
db-ként

100%

Infineon IPB65R190C7 tranzisztor 650 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB65R190C7ATMA2

kezdő: HUF 442,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IPW65R060CFD7XKSA1

kezdő: HUF 1 790,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 PowerTrench Si (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják...

onsemi

NTMFS011N15MC

kezdő: HUF 1 672,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

AUIRFR540ZTRL

kezdő: HUF 398,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 310 A, 25 V, 8-tüskés, WHSON (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 310 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = WHSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Infineon

SP005419117

kezdő: HUF 2 332 178,04*
6 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT090N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTMT090N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NTMT090N65S3HF

kezdő: HUF 2 180,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...

onsemi

NTMYS011N04CTWG

kezdő: HUF 306,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Ez a Infineon HEXFET® Power MOSFET a legújabb 35A ID feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további j...

Infineon

IRFR540ZTRPBF

kezdő: HUF 130,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, UMT3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 310 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = UMT3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növek...

ROHM Semiconductor

BSS138WT106

kezdő: HUF 73,84*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 36,3 A, 60 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS5623DN-T1-GE3

kezdő: HUF 555,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 .. 2543 előre

diszkrét félvezetők (38 141 ajánlat 4 386 229 cikkből)