diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (641/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRFR5410TRPBF

kezdő: HUF 192,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás: RDS(ON) = 28 mΩ (jell.) (VGS = -10 V esetén) Alacsony szivárgó áram: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = -40 V) Javítási mód: Vth = -0,8-től -2,0 V-ig (VDS = -10 V, ID...

Toshiba

TJ15P04M3

kezdő: HUF 208 690,00*
2 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...

onsemi

FDD8444

kezdő: HUF 872 512,00*
2 500 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3P130SP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = RD3P130SP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

ROHM Semiconductor

RD3P130SPTL1

kezdő: HUF 490 291,50*
2 500 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD10NF10T4

kezdő: HUF 136,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-428 RSD150N06 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RSD150N06TL

kezdő: HUF 2 517,40*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 145 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

IXYS

IXFN150N65X2

kezdő: HUF 15 273,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW13NK100Z

kezdő: HUF 2 200,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 550 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STP18N55M5

kezdő: HUF 481,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 710 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STD18N65M5

kezdő: HUF 571,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP14NF10

kezdő: HUF 149,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDS6679AZ

kezdő: HUF 134,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP18NM60N

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15,4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3032LE-13

kezdő: HUF 64,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFH15N100Q3

kezdő: HUF 151 175,8002*
30 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 641 642 643 644 645 646 647 648 649 650 651 .. 2543 előre

diszkrét félvezetők (38 141 ajánlat 4 386 870 cikkből)