diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (649/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FM Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

R6015ANX

kezdő: HUF 2 280,90*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRF1405PBF

kezdő: HUF 27 944,60*
50 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 16,5 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...

onsemi

FQP17P10

kezdő: HUF 1 075,61*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...

IXYS

IXFN150N65X2

kezdő: HUF 13 420,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15,4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3032LE-13

kezdő: HUF 1 278,80*
20 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF530NSTRLPBF

kezdő: HUF 153,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRLR8743TRPBF

kezdő: HUF 187,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 147 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizál...

onsemi

NTMFS08N003C

kezdő: HUF 1 752,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15,8 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 DTMOSIV Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK1x Series, Toshiba

Toshiba

TK16E60W5,S1VX(S

kezdő: HUF 240,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (2 ajánlat)

Infineon

IRLR3410TRLPBF

kezdő: HUF 163,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...

onsemi

FDD8870

kezdő: HUF 975,40*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF390N15A

kezdő: HUF 2 962,90*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Diodes

DMP2003UPS-13

kezdő: HUF 1 778,40*
10 db-ként

100%