diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (679/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK2x sorozat

Toshiba

TK20N60W,S1VF(S

kezdő: HUF 2 387,80*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN6140L-7

kezdő: HUF 1 378,80*
50 db-ként

100%

Infineon IRFI540NPBF tranzisztor 100 V 13 A MOSFET (2 ajánlat)

Infineon

IRFI540NPBF

kezdő: HUF 290,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF7832TRPBF

kezdő: HUF 2 483,30*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK2x sorozat

Toshiba

TK20J60W,S1VQ(O

kezdő: HUF 45 762,60*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

kezdő: HUF 1 392,40*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2672

kezdő: HUF 371,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDS6681Z

kezdő: HUF 1 825,90*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C6 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

Infineon

IPW60R190C6FKSA1

kezdő: HUF 814,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2.4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NTR4101PT1G

kezdő: HUF 179,30*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...

Infineon

IRF9310TRPBF

kezdő: HUF 210,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4124DY-T1-GE3

kezdő: HUF 4 045,70*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 20,7 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Infineon

SPA20N60C3XKSA1

kezdő: HUF 1 087,00*
db-ként

100%