diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (698/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 240 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1330EDL-T1-GE3

kezdő: HUF 1 991,70*
20 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLR3105TRPBF

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 60 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres (1 ajánlat)

Alacsony feszültségű (12 V) meghajtótípus Pch kisjelű MOSFET Kisméretű burkolat felületre szereléshez Ólommentes/RoHS-konform

ROHM Semiconductor

RE1L002SNTL

kezdő: HUF 4 700,00*
200 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 258 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 3 973,30*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 246 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...

Infineon

IRFS7730TRLPBF

kezdő: HUF 429 745,20*
800 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CP Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

Infineon

IPW60R125CPFKSA1

kezdő: HUF 1 402,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Supertex P-csatornás javítás mód MOSFET tranzisztorok. A Microchip P-csatorna bővítési módjának (normál esetben kikapcsolva), a DMOS FET tranzisztorainak Supertex tartománya illeszkedik az alacsony...

Microchip Technology

VP2106N3-G

kezdő: HUF 4 492,00*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 338 616,40*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STD25N10F7

kezdő: HUF 235,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFR44N80P

kezdő: HUF 5 745,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19536KCS

kezdő: HUF 2 402,60*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH26N50P3

kezdő: HUF 56 435,8002*
30 db-ként

100%