Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "félvezetők"

  félvezetők  (93 916 ajánlat 4 526 363 cikkből)

Hasonló keresőfogalmak optimalizált találati listával:
A következő szűrők segítenek a „félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 214,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA125N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHA125N60EF-GE3
kezdő: HUF 727,00*
db-ként
 
 db
100%
Infineon
BSZ0902NSATMA1
kezdő: HUF 152,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMFS7D8N10GTWG
kezdő: HUF 1 651 505,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP129N10NF2S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszül...
Infineon
IPP129N10NF2SAKMA1
kezdő: HUF 357,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 61 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMP4013 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A, 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMP4013 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
Diodes
DMP4013SPS-13
kezdő: HUF 362 951,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...
Infineon
IPW65R018CFD7XKSA1
kezdő: HUF 5 473,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
A SIR150DP-T1-RE3 Vishay N-csatornás 45 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 45 V-os leürítőcső-forrás feszültségleszakadás Alacsony QG- és Qoss-frekvenciára hangolva 100 %-...
Vishay
SIR150DP-T1-RE3
kezdő: HUF 115,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
STH12N120K5-2
kezdő: HUF 2 457,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
ROHM Semiconductor
R6511END3TL1
kezdő: HUF 418,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IPB65R099CFD7AATMA1
kezdő: HUF 938,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (2 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-je a „fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A...
Infineon
IRF3205ZSTRLPBF
kezdő: HUF 268,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 18 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (1 ajánlat) 
A Vishay SIHP186N60EF-GEO3 egy EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezeté...
Vishay
SIHP186N60EF-GE3
kezdő: HUF 703,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Infineon
IPAN80R450P7XKSA1
kezdő: HUF 249,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
Infineon 600V CoolMOS™ sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ C7 egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szupercsomópont (SJ) elvének megfelelően ter...
Infineon
IPW60R017C7XKSA1
kezdő: HUF 4 746,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   4521   4522   4523   4524   4525   4526   4527   4528   4529   4530   4531   ..   6262   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.