Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 403 ajánlat 4 295 603 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 1kV; 15A; 543W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 15A Ellenállás vezetési állapotban: 760mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 543W Polaritás: eg...
IXYS
IXFH15N100P
kezdő: HUF 2 814,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ -T2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
Infineon
IPD85P04P4L06ATMA2
kezdő: HUF 265,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHT™; egysarkú; 150V; 96A; 480W; TO3P (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO3P Újraéledési idő: 150ns Drén - forrás feszültség: 150V Drén áram: 96A Ellenállás vezetési állapotban: 24mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
IXYS
IXTQ96N15P
kezdő: HUF 1 367,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHT™; egysarkú; 300V; 88A; 600W; TO3P (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO3P Újraéledési idő: 250ns Drén - forrás feszültség: 300V Drén áram: 88A Ellenállás vezetési állapotban: 40mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
IXYS
IXTQ88N30P
kezdő: HUF 2 785,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
Infineon
IPA80R600P7XKSA1
kezdő: HUF 382,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 500V; 12A; 200W; TO220AB (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 12A Ellenállás vezetési állapotban: 0,5Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
IXYS
IXTP12N50P
kezdő: HUF 708,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM), és a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM hangra van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiR870BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 639,46*
5 db-ként
 
 csomagok
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS264™ Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 44A Ellenállás vezetési állapotban: 0,22Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elos...
IXYS
IXFB44N100P
kezdő: HUF 10 228,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SiHS90N65E-GE3
kezdő: HUF 145 804,40*
25 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHV™; egysarkú; 500V; 37A; 300W; 200ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS247™ Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 37A Ellenállás vezetési állapotban: 95mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény e...
IXYS
IXFR64N50P
kezdő: HUF 4 666,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
A Infineon 800V CoolMOS P7 szuperjunkciósMOSFET sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel teljes mértékben kielégíti a piaci igényeket a teljesítmény, az egysz...
Infineon
IPD80R600P7ATMA1
kezdő: HUF 349,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 500V; 12A; 200W; TO263 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 12A Ellenállás vezetési állapotban: 0,5Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFA12N50P
kezdő: HUF 882,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR104ADP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM). A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM értékre van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiDR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 384,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 7A Ellenállás vezetési állapotban: 1,9Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás:...
IXYS
IXFA7N100P
kezdő: HUF 1 336,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHT™; egysarkú; 200V; 96A; 600W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 160ns Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 96A Ellenállás vezetési állapotban: 24mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
IXYS
IXTH96N20P
kezdő: HUF 2 040,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   961   962   963   964   965   966   967   968   969   970   971   ..   1494   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.