Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 403 ajánlat 4 294 214 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...
Infineon
IPB110N20N3LFATMA1
kezdő: HUF 2 406,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHV™; egysarkú; 150V; 100A; 300W; 200ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS247™ Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 150V Drén áram: 100A Ellenállás vezetési állapotban: 13mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény ...
IXYS
IXFR180N15P
kezdő: HUF 4 357,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009SPSQ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H009SPSQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...
Diodes
DMTH10H009SPSQ-13
kezdő: HUF 194,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 100V; 300A; 1500W; 200ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS264™ Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 100V Drén áram: 300A Ellenállás vezetési állapotban: 5,5mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény el...
IXYS
IXFB300N10P
kezdő: HUF 9 005,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 40 V, 8-tüskés, SOP SH8MB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 8,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = SH8MB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
ROHM Semiconductor
SH8MB5TB1
kezdő: HUF 194,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; egysarkú; 1,2kV; 10A; Idm: 40A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 10A Ellenállás vezetési állapotban: 1,5Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
kezdő: HUF 10 289,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 83 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP IPA (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 83 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = IPA Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...
Infineon
IPA030N10NF2SXKSA1
kezdő: HUF 826,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 600V; 10A; 200W; TO263 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 Újraéledési idő: 120ns Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 10A Ellenállás vezetési állapotban: 0,74Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXFA10N60P
kezdő: HUF 788,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozású, 88 A-es elvezető árammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve
Vishay
SQJ146ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 111,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHV™; egysarkú; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Újraéledési idő: 560ns Drén - forrás feszültség: 800V Drén áram: 3,6A Ellenállás vezetési állapotban: 3,4Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elos...
IXYS
IXTP4N80P
kezdő: HUF 512,00*
db-ként
 
 db
Infineon BSC093N15NS5 tranzisztor 150 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1
kezdő: HUF 2 870 844,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO252 Újraéledési idő: 750ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 1,4A Ellenállás vezetési állapotban: 11,8Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXTY1R4N100P
kezdő: HUF 582,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFB9N65APBF
kezdő: HUF 24 754,70*
50 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; egysarkú; 1,2kV; 20A; Idm: 80A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 20A Ellenállás vezetési állapotban: 0,6Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 62...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVFRG
kezdő: HUF 12 456,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 FP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 84 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IPA029N06NXKSA1
kezdő: HUF 751,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   961   962   963   964   965   966   967   968   969   970   971   ..   1494   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.