Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (16 665 ajánlat 4 336 779 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,7kV (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzu...
Infineon
FF200R17KE4HOSA1
kezdő: HUF 40 477,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon p csatornás MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. Ez az előny együtt a gyors kapcsolási sebes...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 1 428 946,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban: 1kA Teljesítmény ...
IXYS
IXXN200N60B3
kezdő: HUF 11 017,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRFS7730TRL7PP
kezdő: HUF 604,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor,közös emitter; IGBT x2 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor;közös emitter Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektorá...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
kezdő: HUF 37 695,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPB027N10N5ATMA1
kezdő: HUF 949,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 98A Kollektoráram az impulzusban: 440A Teljesítmény ...
IXYS
IXXN100N60B3H1
kezdő: HUF 11 745,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon egycsatornás HEXFET teljesítmény MOSFET D2-Pak tokozásban. Gyors kapcsolással és teljes lavinával rendelkezik. Ólommentes, és alacsony az ellenállása.Megfelel az RoHS és az AEC előírásai...
Infineon
AUIRF6215STRL
kezdő: HUF 993,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 1 Teljesítmény: 5,5kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 22A Kollekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12AC126V1 25230040
kezdő: HUF 27 688,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (2 ajánlat) 
Infineon IRF sorozatú egyszeres P-csatornás teljesítmény MOSFET. Ez a MOSFET Advanced feldolgozási technikákat használ a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterüle...
Infineon
IRF6215STRLPBF
kezdő: HUF 192 786,00*
800 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzusban: 1,5kA Teljesítmén...
IXYS
IXGN400N60B3
kezdő: HUF 16 134,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-kialakítása a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″...
Infineon
IPD30N06S215ATMA2
kezdő: HUF 257,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 14A (1 ajánlat) 
Gyártó: POWERSEM Tokozás: ECO-PAC 2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 14A Kollektoráram az impulzusban: 20A Alka...
Powersem
PSII 15/12
kezdő: HUF 9 654,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3160KW7TL
kezdő: HUF 2 233,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 110A Kollektoráram az impulzusban: 650A Teljesítmény ...
IXYS
IXXN110N65B4H1
kezdő: HUF 9 446,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   1111   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.