Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (17 287 ajánlat 4 385 715 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon IPAN80R450P7 tranzisztor 800 V (1 ajánlat)
Infineon
IPAN80R450P7XKSA1
kezdő: HUF 12 351,20*
50 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektoráram az impulzusban: ...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
kezdő: HUF 64 341,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 150 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...
Infineon
AUIRFS4115-7TRL
kezdő: HUF 1 568,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT (1 ajánlat) 
Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: IXYS Tokozás: SMPD-B Ma...
IXYS
IXA40RG1200DHGLB
kezdő: HUF 3 496,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 200 V, 7-tüskés, DirectFET izometrikus HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET 200V maximális elvezető forrás feszültség egy DirectFET MZ csomag névleges 19 amper optimalizált alacsony bekapcsolt ellenállás. Ez a digitális audio MOSFET ki...
Infineon
IRF6785MTRPBF
kezdő: HUF 327,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 42A Kollektoráram az impulzusban: 100A Alkalmazás: U...
IXYS
IXBN75N170A
kezdő: HUF 19 838,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 8,8 A, 30 V, 8-tüskés, DFN2020 HEXFET (1 ajánlat) 
A Infineon IRFHS8342 egy erős IRFET teljesítmény MOSFET család optimalizált alacsony RDS(ON) és nagy áram képesség. Az eszközök ideálisak a teljesítményt és robusztusságot igénylő, alacsony frekven...
Infineon
IRFHS8342TRPBF
kezdő: HUF 44,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 2 Teljesítmény: 5,5kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 22A Kollektoráram...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 22NAB126V10 25230390
kezdő: HUF 40 831,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 600V CoolMOS™ P7 sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. Rendkívül alacsony kapcsolási és vezetési veszteséggel rendelkezik, ami a kapcsolási alkalmazásokat még hatékonyabbá, kompaktab...
Infineon
IPD60R280P7SAUMA1
kezdő: HUF 271,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT (1 ajánlat) 
Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: IXYS Tokozás: SMPD-B Ma...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
kezdő: HUF 2 855,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPA60R125CFD7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 ajánlat) 
Gyártó: POWERSEM Tokozás: ECO-PAC 2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 94A Kollektoráram az impulzusban: 150A Alkalmazá...
Powersem
PSSI 100/12
kezdő: HUF 14 245,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL125N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTHL125N65S3H
kezdő: HUF 1 001,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzusban: 1,2kA Teljesítmén...
IXYS
IXGN200N60B3
kezdő: HUF 18 660,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés fejez össze. A kapott termék rendkí...
ST Microelectronics
STB45N30M5
kezdő: HUF 1 302 817,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   1153   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.