MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (105/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 26,2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorn...

Vishay

SISS5710DN-T1-GE3

kezdő: HUF 304,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 26,2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS5710DN-T1-GE3

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 26,8 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna m...

Vishay

SIR5710DP-T1-RE3

kezdő: HUF 545 940,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 26,8 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIR5710DP-T1-RE3

kezdő: HUF 209,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3 A, 80 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

Si2387DS-T1-GE3

kezdő: HUF 41,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3 A, 80 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

Si2387DS-T1-GE3

kezdő: HUF 77,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,1 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (2 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4948BEY-T1-GE3

kezdő: HUF 141,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,1 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4948BEY-T1-GE3

kezdő: HUF 405 260,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,8 A, 20 V, 8-tüskés, 1206 ChipFET Izolált Si (2 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI5935CDC-T1-GE3

kezdő: HUF 62,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,8 A, 20 V, 8-tüskés, 1206 ChipFET Izolált Si (1 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI5935CDC-T1-GE3

kezdő: HUF 191 902,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,9 A, 2,1 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 3,9 A, 2,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális ny...

Vishay

SI3585CDV-T1-GE3

kezdő: HUF 65,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,9 A, 2,1 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI3585CDV-T1-GE3

kezdő: HUF 1 219,40*
20 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,9 A, 5,3 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (2 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4559ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 174,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,9 A, 5,3 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4559ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 558 680,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, 3 x 3-as PowerPAIR TrenchFET Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET A magas oldali és az alacsony oldali MOSFET-tranzisztorok optimalizált kombinációt alkotnak az 50%-os működési ciklus érdekében Az optimalizált RDS-Qg és RDS-Qgd FOM-...

Vishay

SiZ348DT-T1-GE3

kezdő: HUF 140,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 096 cikk)