MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (49/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 3,75 A, 20 V, 7-tüskés, POWERPAK SC-70W-6L P-Channel 20 (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés Ne...

Vishay

SQA401CEJW-T1_GE3

kezdő: HUF 91,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,8 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI9407BDY-T1-GE3

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,8 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI9407BDY-T1-GE3

kezdő: HUF 2 601,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,9 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

Si1416EDH-T1-GE3

kezdő: HUF 814,50*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,9 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1416EDH-T1-GE3

kezdő: HUF 110 491,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,9 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7309DN-T1-E3

kezdő: HUF 423 912,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,9 A, 8 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3499DV-T1-GE3

kezdő: HUF 451 594,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,9 A, 8 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3499DV-T1-GE3

kezdő: HUF 2 748,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU9110PBF

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBG30PBF

kezdő: HUF 289,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHD6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...

Vishay

SIHD6N80AE-GE3

kezdő: HUF 173,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SIHD6N80AE-GE3

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHU6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

kezdő: HUF 194,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

kezdő: HUF 195,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF610PBF

kezdő: HUF 147,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 096 cikk)