MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (306/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 253 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...

Infineon

IQE008N03LM5ATMA1

kezdő: HUF 615,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Infineon

IQE008N03LM5CGATMA1

kezdő: HUF 1 504 779,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Infineon

IQE008N03LM5CGATMA1

kezdő: HUF 303,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 1 303 792,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 258 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 3 363,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19536KCS

kezdő: HUF 814,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19536KCS

kezdő: HUF 2 362,60*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP24NF10

kezdő: HUF 120,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP24NF10

kezdő: HUF 614,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMW120R090M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 488,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Infineon

IMW120R090M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 486,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 10 269,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 339 179,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat)

A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC 90 V-os, 1200-os SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítmény és a megbízhatóság ötvözésére van optimalizálva. A hag...

Infineon

IMZ120R090M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 543,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...

Infineon

IMZ120R090M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 542,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)