MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (344/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (1 ajánlat)

Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 350 mW Elemek száma chipenként = 1

onsemi

BS170-D75Z

kezdő: HUF 2 396,70*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU9110PBF

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBG30PBF

kezdő: HUF 292,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2A01E6TA

kezdő: HUF 874,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDT86106LZ

kezdő: HUF 986,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

NTR4501NT1G

kezdő: HUF 54,10*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHD6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...

Vishay

SIHD6N80AE-GE3

kezdő: HUF 174,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SIHD6N80AE-GE3

kezdő: HUF 149,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHU6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

kezdő: HUF 194,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

kezdő: HUF 196,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDT86113LZ

kezdő: HUF 650,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF610PBF

kezdő: HUF 147,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 400 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 300 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF720PBF

kezdő: HUF 169,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.4 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS86106

kezdő: HUF 749,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDT458P

kezdő: HUF 1 262,90*
10 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)