MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (589/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SIHA24N80AE-GE3

kezdő: HUF 480,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 900 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba8 és TK9 sorozatú Toshiba

Toshiba

TK9J90E

kezdő: HUF 26 621,90*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 900 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba8 és TK9 sorozatú Toshiba

Toshiba

TK9J90E

kezdő: HUF 1 132,00*
db-ként

Infineon IPD95R750P7 tranzisztor 500 V (2 ajánlat)

Infineon

IPD95R750P7ATMA1

kezdő: HUF 211,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 950 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 950 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma ...

Infineon

IPD95R750P7ATMA1

kezdő: HUF 212,00*
db-ként

Infineon IPA95R750P7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPA95R750P7XKSA1

kezdő: HUF 246,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 950 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Infineon

IPA95R750P7XKSA1

kezdő: HUF 245,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,2 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFS9N60APBF

kezdő: HUF 509,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,2 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB9N60APBF

kezdő: HUF 442,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,2 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW11NK90Z

kezdő: HUF 833,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRF630NPBF

kezdő: HUF 8 550,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői a ...

Infineon

AUIRFR4292TRL

kezdő: HUF 254,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

AUIRFR4292TRL

kezdő: HUF 254,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF7493TRPBF

kezdő: HUF 1 042,15*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF7493TRPBF

kezdő: HUF 3 527,70*
10 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 581 582 583 584 585 586 587 588 589 590 591 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)