MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (183/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C2M0025120D

kezdő: HUF 28 200,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed

C2M0025120D

kezdő: HUF 20 631,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenk...

Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1

kezdő: HUF 521,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPD068N10N3GATMA1

kezdő: HUF 3 868,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba

Toshiba

TK40E10N1,S1X(S

kezdő: HUF 256,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba

Toshiba

TK40E10N1,S1X(S

kezdő: HUF 2 392,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Si (1 ajánlat)

A Infineon OptiMOS™-T2 sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. Alacsony kapcsolási és vezetési energiaveszteséggel rendelkezik a magas termikus hatékonyság érdekében.N-csatorna – Javítási mód MSL...

Infineon

IPD90N10S4L06ATMA1

kezdő: HUF 557,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.8 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFI640GPBF

kezdő: HUF 493,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.8 A, 13.2 A, 8 V, 9-tüskés, UWLB1515 DMP1007 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 9.8 A, 13.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 8 V Sorozat = DMP1007 Tüskék száma = 9 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,0091 Ω Csatorna mód...

Diodes

DMP1007UCB9-7

kezdő: HUF 4 676,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.4 A, 60 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FQU11P06TU

kezdő: HUF 564,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.4 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQD11P06TM

kezdő: HUF 718,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.4 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFU120NPBF

kezdő: HUF 330,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRF630NPBF

kezdő: HUF 197,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.2 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW11NK90Z

kezdő: HUF 1 071,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9.2 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB9N60APBF

kezdő: HUF 546,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)