MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (203/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 80 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IAUS165N08S5N029ATMA1

kezdő: HUF 759,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 165.3 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Vishay

SIHP21N80AEF-GE3

kezdő: HUF 591,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 165.3 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHP21N80AEF-GE3

kezdő: HUF 574,00*
db-ként

Infineon IPB027N10N5 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB027N10N5ATMA1

kezdő: HUF 955,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 166 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 166 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPB027N10N5ATMA1

kezdő: HUF 1 103,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 166 A, 60 V, 4-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 166 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SQJ162EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 026 488,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 166 A, 60 V, 4-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SQJ162EP-T1_GE3

kezdő: HUF 384,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 167 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDH055N15A

kezdő: HUF 1 573,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 167 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDH055N15A

kezdő: HUF 1 144,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 167 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozású, 167 A-es elvezető árammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve...

Vishay

SQJ142EP-T1_GE3

kezdő: HUF 443 191,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 167 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 167 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...

Vishay

SQJ142EP-T1_GE3

kezdő: HUF 161,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 168 A, 75 V, 8-tüskés, SOP Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 168 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Toshiba

TPH2R608NH,L1Q(M

kezdő: HUF 407,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 168 A, 75 V, 8-tüskés, SOP Szilikon (1 ajánlat)

Toshiba

TPH2R608NH,L1Q(M

kezdő: HUF 421,00*
db-ként

Infineon IRF1405 tranzisztor 55 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF1405PBF

kezdő: HUF 290,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRF1405PBF

kezdő: HUF 25 359,20*
50 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)